quotation:		[Copy]
		[Copy]

摘要:

本文提出了一种采用0.25μm CMOS工艺的高性能的带隙基准参考源。该电路结构简单,性能较好。用模拟软件进行仿真,在tt模型下,其温度系数为9.6 ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为-56 dB,电压拉偏特性为384 ppm/V。而在其它模型下,也有较低的温度系数和较高的电源抑制比。

关键词: 基准电压带隙基准温度系数温度补偿电源抑制比

Received:December 20, 2004

基金项目:

Design of a High Performance CMOS Bandgap Voltage Reference

()

Abstract:

Key words: Votage reference,Bandgap reference,Average temperature coefficient,PSRR