首页期刊视频编委会征稿启事出版道德声明审稿流程读者订阅论文查重联系我们English
引用本文
  • 刘春平,龚向东,黄虹宾,李景镇.纳秒和亚纳秒级固态器件高压脉冲源的研制[J].电讯技术,2009,49(8): - .    [点击复制]
  • .Development of a Nano and Sub-nanosecond Solid State Device High Voltage Pulser[J].,2009,49(8): - .   [点击复制]
【打印本页】 【下载PDF全文】 查看/发表评论下载PDF阅读器关闭

←前一篇|后一篇→

过刊浏览    高级检索

本文已被:浏览 3330次   下载 80 本文二维码信息
码上扫一扫!
纳秒和亚纳秒级固态器件高压脉冲源的研制
0
()
摘要:
固态器件能产生纳秒甚至亚纳秒级的开关时间,利用固态器件制成的高压脉冲源,广泛应用于激光脉冲开关、探地雷达、高速相机等低功率场合.在各种固态器件中,雪崩三极管最为常用.给出了雪崩三极管在几种典型的电路条件下的雪崩特性曲线,分析了雪崩过程中工作点的移动和电路的动态过程.分别对2N5551和ZTX415两种管子进行了实验,实验电路采用15只雪崩三极管串接,获得了幅度4000V、前沿时间小于5ns的脉冲输出.实验结果表明,两种管子在开关速度和输出电压上相当,但ZTX415性能更加稳定,可靠性更好.
关键词:  固态器件  雪崩三极管  雪崩特性曲线  高压脉冲
DOI:
基金项目:国家自然科学基金资助项目,深圳市科技局资助项目?
Development of a Nano and Sub-nanosecond Solid State Device High Voltage Pulser
()
Abstract:
Key words:  
安全联盟站长平台