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引用本文：

潘志斌,徐国治.功率VMOS器件的参数最佳化折衷[J].电讯技术，1989，（2）：35 - 37. [点击复制]
.The optimal trade--off between BV_(DSS) &R_(on) for Fower MOSFET[J].，1989，（2）：35 - 37. [点击复制]

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功率VMOS器件的参数最佳化折衷

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摘要:

改善功率VMCS器件设计的一个关键问题,是如何对耐压BV_(DSS)和导通电阻R_(on)进行合理的最佳化折衷。本文采用计算机辅助设计(CAD)的方法对各种可能的工艺和结构参数进行了大量计算,按照实际生产中的工艺条件进行筛选,得出了最佳化的设计参数。经与VN0906参照对比,证明设计是十分有效和准确的。

关键词: VMOS 功率 MOSFET 最佳化

DOI：

基金项目:

The optimal trade--off between BV_(DSS) &R_(on) for Fower MOSFET

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Abstract:

The most important problem for improving VMOS design is how to made-a trade-off between BV_(DSS) and R_(on) reasonably. This paper caculates various set ofparameters with CAD Technology to give optimal design parameters. The caculatedresults are close to those of VN0906 by testing.

Key words: Power MOSFET,Optimal Trade-off