| 摘要: |
| 近来表明,用于空间设备的线性微波放大器中,所用的大量的各种类型微波晶体管都是对辐射敏感的。由于晶体管的h_(FE)是对辐射非常敏感的参数,所以在空间长期工作的放大器,由于晶体管偏压条件的改变而导致其微波性能过早地下降。本文首先介绍影响线性微波晶体管放大器整个辐射灵敏度的各种因素,接着列举了对L波段和S波段前置放大器进行地面辐射试验所得的实验结果。根据估计的空间辐射剂量级进行计算所得之结果表明:在设计放大器时,若忽视辐射的影响,就可能导致放大器只有几周而不是几年的工作寿命。本文根据对元件和放大器辐照所得的实验结果,提出了使微波集成电路晶体管放大器达到耐辐射的方法。 |
| 关键词: |
| DOI： |
|
| 基金项目: |
|
|
|
| () |
| Abstract: |
|
| Key words: |
《电讯技术》编辑部 