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| 本文提出了一种采用0.25μm CMOS工艺的高性能的带隙基准参考源。该电路结构简单,性能较好。用模拟软件进行仿真,在tt模型下,其温度系数为9.6 ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为-56 dB,电压拉偏特性为384 ppm/V。而在其它模型下,也有较低的温度系数和较高的电源抑制比。 |
| 关键词: 基准电压 带隙基准 温度系数 温度补偿 电源抑制比 |
| DOI：10.3969/j.issn.1001-893X. |
| 投稿时间：2004-12-20 |
| 基金项目: |
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| Design of a High Performance CMOS Bandgap Voltage Reference |
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| Key words: Votage reference,Bandgap reference,Average temperature coefficient,PSRR |
《电讯技术》编辑部 