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  • 黄金湘.M—FET电路的实验研究[J].电讯技术,1990,(1):43 - 46.    [点击复制]
  • .[J].,1990,(1):43 - 46.   [点击复制]
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M—FET电路的实验研究
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摘要:
本文描述一种改进型场效应管(M—FET)电路。它具有类似FET管的特性,且在热稳定性、频率响应以及大动态范围转移特性的线性化方面均有很大的改进。该电路广泛用于设计线性测试设备系统中的放大器和振荡器。M—FET电路可作为三端器件生产。
关键词:  M-FET 电路 实验研究 场效应管
DOI:
基金项目:
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Abstract:
An experimental study of the M-FET which has been reported recently in the literature is described.M-FET has been yield FET-like characteristics with many improvements in transfer cure linearity and temperature stability over a wide dynamic range.M-FET may find application in linear instrumentation systems and in the design of amplifiers and oscillators.M-FET may be massproduced commercially as a single three-terminal device.
Key words:  Circuit and System,M-FET Circuit
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