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日本东芝公司开发二种世界上最高速度的3GHz GaAs IC,并已出售样品.这种电路基本上是一种晶体管的共源电路,根据二个晶体管的电压差来激励,并采用源结场效应管电路(SCFL),以减少元件的容量.采用栅长为0.8μmLDD(Lightey Doped Drain)结构,实现3GHz的高速工作.在多路调制器中输出脉冲上升、下降时间为150PS.另外在栅电极中,由于采用与GaAs衬底牢固接合的该公司独特的高融点金属 |
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