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| 以往对放大噐和倍频噐相位噪声的研究表明,有一种称为“P—N 结相位噪声的闪烁效应规律”。使用低噪声晶体管的倍频器与此规律有矛盾。将有特基二极管倍频噐和电子管倍频噐与 P—N 结噐件作了比较。由于电子管倍频噐的相位噪声不因负反馈而变化,这表明电子管本身的相位噪声可能远比观察到的要小。晶本管倍频噐的相位噪声随负反馈量的增加而逐渐减小到一个下限,即使再增加负反馈量,噪声将保持恒定。对所有倍频噐在2Hz～5KHz 内的相位噪声进行了测量,并将测量结果外推到1Hz。研究过程中,研制了一低闪烁噪声低漂移的前置直流放大噐。 |
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《电讯技术》编辑部 